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Référence fabricant | MK22FN512VDC12R |
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Numéro de pièce future | FT-MK22FN512VDC12R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Kinetis K20 |
MK22FN512VDC12R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | ARM® Cortex®-M4 |
Taille de base | 32-Bit |
La vitesse | 120MHz |
Connectivité | I²C, IrDA, SPI, UART/USART, USB, USB OTG |
Des périphériques | DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT |
Nombre d'E / S | 81 |
Taille de la mémoire du programme | 512KB (512K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | - |
Taille de la RAM | 128K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
Convertisseurs de données | A/D 38x16b; D/A 2x12b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 121-XFBGA |
121-BGA (8x8) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MK22FN512VDC12R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MK22FN512VDC12R-FT |
MC908QY2AMDWER
NXP USA Inc.
MC908QY2AVDWER
NXP USA Inc.
MC908QY4ACDWER
NXP USA Inc.
MC908QY4AMDWE
NXP USA Inc.
MC908QY4AMDWER
NXP USA Inc.
MC908QY4CDWER
NXP USA Inc.
MC908QY4MDWER
NXP USA Inc.
MC908QY8CDWE
NXP USA Inc.
MC908QY8VDWE
NXP USA Inc.
MCHC705KJ1CDWE
NXP USA Inc.
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-4FGG320I
Xilinx Inc.
XA3S1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-1PL68I
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C9
Intel
5SGSED8N3F45I4N
Intel
LCMXO2-640HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35C4N
Intel
EP3SE110F780I4N
Intel