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Référence fabricant | MK10DN512VMC10R |
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Numéro de pièce future | FT-MK10DN512VMC10R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Kinetis K10 |
MK10DN512VMC10R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | ARM® Cortex®-M4 |
Taille de base | 32-Bit |
La vitesse | 100MHz |
Connectivité | CANbus, EBI/EMI, I²C, IrDA, SD, SPI, UART/USART |
Des périphériques | DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT |
Nombre d'E / S | 90 |
Taille de la mémoire du programme | 512KB (512K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | - |
Taille de la RAM | 128K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
Convertisseurs de données | A/D 42x16b; D/A 2x12b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 121-LFBGA |
121-MAPBGA (8x8) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MK10DN512VMC10R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MK10DN512VMC10R-FT |
MC9S08QG8CFFE
NXP USA Inc.
MC9S08QG4CFFER
NXP USA Inc.
MC9S08QG4CFFE
NXP USA Inc.
MC9S08QG8MFFE
NXP USA Inc.
MC9S08QG8CFFER
NXP USA Inc.
MC9S08QG44CFFE
NXP USA Inc.
MC9S08QG44CFFER
NXP USA Inc.
MC9S08QG84CFFE
NXP USA Inc.
MC9S08QG84CFFER
NXP USA Inc.
SPC5123YVY400B
NXP USA Inc.
LCMXO1200C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation