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Référence fabricant | MJS 350-R TR |
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Numéro de pièce future | FT-MJS 350-R TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MJS |
MJS 350-R TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de fusible | Cartridge, Glass |
Note actuelle | 350mA |
Tension nominale - AC | 250V |
Tension nominale - DC | - |
Temps de réponse | Slow Blow |
Paquet / caisse | 2AG, 5mm x 15mm (Axial) |
Type de montage | Through Hole |
Capacité de coupure à la tension nominale | 200A |
Je fais fondre | 0.8 |
Approbations | CE, CSA, cULus |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Couleur | - |
Taille / Dimension | 0.217" Dia x 0.591" L (5.50mm x 15.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJS 350-R TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MJS 350-R TR-FT |
BP/ATC-35ID
Eaton - Bussmann Electrical Division
BP/ATC-7-1/2ID
Eaton - Bussmann Electrical Division
BP/ATM-3ID
Eaton - Bussmann Electrical Division
BP/ATM-7-1/2ID
Eaton - Bussmann Electrical Division
BP/FMX-50ID
Eaton - Bussmann Electrical Division
BP/MAX-70ID
Eaton - Bussmann Electrical Division
C-2-1/2
Eaton - Electronics Division
C308F-V-100MA-TR1
Eaton - Electronics Division
C308F-V-125MA-TR1
Eaton - Electronics Division
C308F-V-160MA-TR1
Eaton - Electronics Division
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG256
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME7H2F35C3N
Intel
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A200T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFX200EB-04FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29I5G
Intel