maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MJE170G
Référence fabricant | MJE170G |
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Numéro de pièce future | FT-MJE170G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MJE170G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.7V @ 600mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 1V |
Puissance - Max | 1.5W |
Fréquence - Transition | 50MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-225AA, TO-126-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-225AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE170G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MJE170G-FT |
2SD217700A
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XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
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XC5VLX50T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
AGL250V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EP20K1500EBC652-3
Intel