maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MJD45H11T4
Référence fabricant | MJD45H11T4 |
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Numéro de pièce future | FT-MJD45H11T4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MJD45H11T4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Puissance - Max | 20W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD45H11T4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MJD45H11T4-FT |
BD745A-S
Bourns Inc.
BD745B-S
Bourns Inc.
BD745C-S
Bourns Inc.
BD746-S
Bourns Inc.
BD746A-S
Bourns Inc.
BD746B-S
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BD746C-S
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BD910
STMicroelectronics
BDV64-S
Bourns Inc.
BDV64A-S
Bourns Inc.
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel