maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MJD45H11T4G
Référence fabricant | MJD45H11T4G |
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Numéro de pièce future | FT-MJD45H11T4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MJD45H11T4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Puissance - Max | 1.75W |
Fréquence - Transition | 90MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD45H11T4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MJD45H11T4G-FT |
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