maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MJD253T4G
Référence fabricant | MJD253T4G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MJD253T4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MJD253T4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
Puissance - Max | 1.4W |
Fréquence - Transition | 40MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD253T4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MJD253T4G-FT |
MMBT3904WT1
ON Semiconductor
MMBT3906WT1
ON Semiconductor
MMBT4401WT1
ON Semiconductor
MMBTA06WT1
ON Semiconductor
MMBTA56WT1
ON Semiconductor
MSB1218A-RT1
ON Semiconductor
MSB92ASWT1
ON Semiconductor
MSB92WT1
ON Semiconductor
MSD42SWT1
ON Semiconductor
MSD42WT1
ON Semiconductor
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel