maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MJD122TF
Référence fabricant | MJD122TF |
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Numéro de pièce future | FT-MJD122TF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MJD122TF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Puissance - Max | 1.75W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD122TF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MJD122TF-FT |
BCX52E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5310E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5316E6327HTSA1
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BCX5316E6433HTMA1
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BCX53E6327HTSA1
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BCX5410E6327
Infineon Technologies
BCX5516E6433HTMA1
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BCX55E6327HTSA1
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BCX5610H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5616E6327HTSA1
Infineon Technologies
XC6SLX100-3FG484I
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A3P1000-2PQG208
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5SGXEA5N2F45C2LN
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5SGXMABK3H40C2LN
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EP1AGX60EF1152I6N
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EP3SL200F1152I4N
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XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel