maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MJD122T4G
Référence fabricant | MJD122T4G |
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Numéro de pièce future | FT-MJD122T4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MJD122T4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Puissance - Max | 1.75W |
Fréquence - Transition | 4MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD122T4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MJD122T4G-FT |
BC847BWT1G
ON Semiconductor
MMBT2222AWT1G
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MSB92AS1WT1G
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SMMBT2222AWT1G
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EPF6024ATC144-2N
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XC2VP2-5FG456I
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A54SX32A-FFG144
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10M50DAF256C8G
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EP4SGX530KH40C3N
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5SGXEA7K3F35I3N
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XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation