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MJD112G Image

ON Semiconductor MJD112G

Numéro de pièce MFG
MJD112G
quantité disponible
66390 Pièces
Prix de référence
USD 0.536
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MJD112G.pdf
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MJD112G Caractéristiques

Référence fabricant MJD112G
Numéro de pièce future FT-MJD112G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MJD112G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 20µA
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Puissance - Max 1.75W
Fréquence - Transition 25MHz
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur DPAK
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MJD112G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MJD112G-FT

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