maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MII200-12A4
Référence fabricant | MII200-12A4 |
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Numéro de pièce future | FT-MII200-12A4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MII200-12A4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 270A |
Puissance - Max | 1130W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 150A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Y3-DCB |
Package d'appareils du fournisseur | Y3-DCB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MII200-12A4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MII200-12A4-FT |
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