maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MIEB100W1200TEH
Référence fabricant | MIEB100W1200TEH |
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Numéro de pièce future | FT-MIEB100W1200TEH |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MIEB100W1200TEH Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 183A |
Puissance - Max | 630W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 300µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E3 |
Package d'appareils du fournisseur | E3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIEB100W1200TEH Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MIEB100W1200TEH-FT |
IRG5K200HF06A
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