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MHE1003NR3 Image

NXP USA Inc. MHE1003NR3

Numéro de pièce MFG
MHE1003NR3
quantité disponible
30360 Pièces
Prix de référence
USD 104.156224
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MHE1003NR3.pdf
MHE1003NR3 Image

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MHE1003NR3 Caractéristiques

Référence fabricant MHE1003NR3
Numéro de pièce future FT-MHE1003NR3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MHE1003NR3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain 14.1dB
Tension - Test 28V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Courant - Test 50mA
Puissance - sortie 53dBm
Tension - nominale 65V
Paquet / caisse OM-780-2
Package d'appareils du fournisseur OM-780-2
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MHE1003NR3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MHE1003NR3-FT

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