maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / MHE1003NR3
Référence fabricant | MHE1003NR3 |
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Numéro de pièce future | FT-MHE1003NR3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MHE1003NR3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
Gain | 14.1dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 10µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 50mA |
Puissance - sortie | 53dBm |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | OM-780-2 |
Package d'appareils du fournisseur | OM-780-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MHE1003NR3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MHE1003NR3-FT |
2SK3557-6-TB-E
ON Semiconductor
SMMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
MMBF4416LT1G
ON Semiconductor
RFM03U3CT(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
BF245A,112
NXP USA Inc.
BF245B,112
NXP USA Inc.
BF245C,112
NXP USA Inc.
ON5204,127
NXP USA Inc.
BLF878,112
Ampleon USA Inc.
BLF888,112
Ampleon USA Inc.
AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC7S6-1CSGA225I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG896
Microsemi Corporation
LFXP10C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel
EPF10K10QC208-4N
Intel