maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / MGV2520124R7M-10
Référence fabricant | MGV2520124R7M-10 |
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Numéro de pièce future | FT-MGV2520124R7M-10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MGV |
MGV2520124R7M-10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.55A |
Courant - Saturation | 1.9A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 235 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV2520124R7M-10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MGV2520124R7M-10-FT |
AIUR-05-4R7M
Abracon LLC
AIUR-05-680K
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AIUR-05-681K
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Abracon LLC
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
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Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel