maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / MGV201610S1R5M-10
Référence fabricant | MGV201610S1R5M-10 |
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Numéro de pièce future | FT-MGV201610S1R5M-10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MGV |
MGV201610S1R5M-10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.4A |
Courant - Saturation | 3.4A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 99 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV201610S1R5M-10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MGV201610S1R5M-10-FT |
AIUR-05-100K
Abracon LLC
AIUR-05-101K
Abracon LLC
AIUR-05-102K
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AIUR-05-150K
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AIUR-05-152K
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AIUR-05-331K
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AIUR-05-470K
Abracon LLC
AIUR-05-4R7M
Abracon LLC
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel