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Référence fabricant | MG1775S-BN4MM |
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Numéro de pièce future | FT-MG1775S-BN4MM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MG1775S-BN4MM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 125A |
Puissance - Max | 520W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.8nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | S-3 Module |
Package d'appareils du fournisseur | S3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG1775S-BN4MM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MG1775S-BN4MM-FT |
FP15R12W1T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF160R12W2H3_B11
Infineon Technologies
VS-70MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100MT060WDF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MT120UFAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MT120UFP
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VS-25MT060WFAPBF
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VS-70MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
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10AX115R2F40E2LG
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5AGXMA3D4F31C4N
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EP4SGX70DF29I3N
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