maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MG17450WB-BN4MM
Référence fabricant | MG17450WB-BN4MM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MG17450WB-BN4MM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MG17450WB-BN4MM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600A |
Puissance - Max | 2250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 450A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 40.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | WB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG17450WB-BN4MM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MG17450WB-BN4MM-FT |
FZ3600R17HE4HOSA2
Infineon Technologies
FZ3600R17HP4HOSA2
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF160R12W2H3_B11
Infineon Technologies
VS-70MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100MT060WDF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-150MT060WDF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MT120UFAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MT120UFP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel