maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MG1250W-XBN2MM
Référence fabricant | MG1250W-XBN2MM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MG1250W-XBN2MM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MG1250W-XBN2MM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter with Brake |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Puissance - Max | 260W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 50A (Typ) |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.6nF @ 25V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG1250W-XBN2MM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MG1250W-XBN2MM-FT |
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation
APTGF300DA120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGF180H60G
Microsemi Corporation
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation
APTGF165A60D1G
Microsemi Corporation
APTGF150H120G
Microsemi Corporation
APTGF150DU120TG
Microsemi Corporation