maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MG12300D-BN2MM
Référence fabricant | MG12300D-BN2MM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MG12300D-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MG12300D-BN2MM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 480A |
Puissance - Max | 1450W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 300A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 21nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-3 Module |
Package d'appareils du fournisseur | D3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12300D-BN2MM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MG12300D-BN2MM-FT |
APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation
APTGF75H120TG
Microsemi Corporation
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50H60T3G
Microsemi Corporation
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel