maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MG12200D-BA1MM
Référence fabricant | MG12200D-BA1MM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MG12200D-BA1MM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MG12200D-BA1MM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 300A |
Puissance - Max | 1400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 200A (Typ) |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 14.9nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | D3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12200D-BA1MM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MG12200D-BA1MM-FT |
APTGF90H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation
APTGF75H120TG
Microsemi Corporation
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQG100I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C7N
Intel
5SGSED8K3F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I3N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I3L
Intel