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Référence fabricant | MG12200D-BA1MM |
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Numéro de pièce future | FT-MG12200D-BA1MM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MG12200D-BA1MM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 300A |
Puissance - Max | 1400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 200A (Typ) |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 14.9nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | D3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12200D-BA1MM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MG12200D-BA1MM-FT |
APTGF90H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90DU60TG
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APTGF75H120TG
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XC4005E-4PQ100C
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XC7A15T-3CSG325E
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A3P600-2PQG208I
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M1A3P400-PQ208
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EP4S40G2F40I3
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EP4SGX530NF45I4N
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5SGXEABK2H40I3LN
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XA7A15T-1CSG324I
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LFE2M50SE-6F484I
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EP3SE80F780I4L
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