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Référence fabricant | MG12150S-BN2MM |
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Numéro de pièce future | FT-MG12150S-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MG12150S-BN2MM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Puissance - Max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 150A (Typ) |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 10.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | S-3 Module |
Package d'appareils du fournisseur | S3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12150S-BN2MM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MG12150S-BN2MM-FT |
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T1G
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APTGF300U120DG
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APTGF300DA120G
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APTGF300A120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120D3G
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APTGF25H120T1G
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APTGF180H60G
Microsemi Corporation
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation
LFEC3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
5CGXFC9D7F27C8N
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5SGXMA9K2H40I2LN
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5SGXEA4H3F35C3N
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LFXP15E-4F256I
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5CGXFC5C6U19C7N
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EPF10K50SBC356-3
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