maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MF30H100CTHE3_A/P
Référence fabricant | MF30H100CTHE3_A/P |
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Numéro de pièce future | FT-MF30H100CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MF30H100CTHE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 930mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MF30H100CTHE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MF30H100CTHE3_A/P-FT |
CD412299C
Powerex Inc.
SCPA4F
Semtech Corporation
DDB6U104N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U144N16RBOSA1
Infineon Technologies
JANTXV1N4148UBCC
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UBD
Microsemi Corporation
VS-VSUD400CW20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSUD400CW60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSUD405CW60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSUD410CW60
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel