maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MF200K06F2-BP
Référence fabricant | MF200K06F2-BP |
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Numéro de pièce future | FT-MF200K06F2-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MF200K06F2-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 140ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | F2 Module |
Package d'appareils du fournisseur | F2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MF200K06F2-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MF200K06F2-BP-FT |
FST80100D
Microsemi Corporation
HFA60MC60C
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA75MC40C
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA80NK40C
Vishay Semiconductor Diodes Division
UFT14140
Microsemi Corporation
FST160100A
Microsemi Corporation
FST160100D
Microsemi Corporation
FST16045A
Microsemi Corporation
FST16045D
Microsemi Corporation
FST16050
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel