maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MF150C06F2-BP
Référence fabricant | MF150C06F2-BP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MF150C06F2-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MF150C06F2-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 150A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 130ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | F2 Module |
Package d'appareils du fournisseur | F2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MF150C06F2-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MF150C06F2-BP-FT |
FST80100A
Microsemi Corporation
FST80100D
Microsemi Corporation
HFA60MC60C
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA75MC40C
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA80NK40C
Vishay Semiconductor Diodes Division
UFT14140
Microsemi Corporation
FST160100A
Microsemi Corporation
FST160100D
Microsemi Corporation
FST16045A
Microsemi Corporation
FST16045D
Microsemi Corporation
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel