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Référence fabricant | MF-RHT1100-AP |
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Numéro de pièce future | FT-MF-RHT1100-AP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Multifuse®, MF-RHT |
MF-RHT1100-AP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Polymeric |
Tension - Max | 16V |
Courant - Max | 100A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 11A |
Actuel - Voyage (It) | 20A |
Temps de voyage | 11s |
Résistance - Initial (Ri) (Min) | 5.5 mOhms |
Résistance - Post Trip (R1) (Max) | 13 mOhms |
Résistance - 25 ° C (Typ) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Évaluations | AEC-Q200 |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.827" L x 0.118" W (21.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.028" (26.10mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.402" (10.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MF-RHT1100-AP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MF-RHT1100-AP-FT |
PTGL20AS330H0D02BZ
Murata Electronics North America
PTGL4SAS100K2B51A0
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XC3S200A-4VQG100C
Xilinx Inc.
XC3S700A-5FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
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LCMXO3L-9400E-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-Z1VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
5SGXEA3K2F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I1N
Intel
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Microsemi Corporation
EP4CGX110DF31C7N
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