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Référence fabricant | MEM2012V151R |
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Numéro de pièce future | FT-MEM2012V151R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MEM |
MEM2012V151R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Low Pass |
Ordre de filtrage | 5th |
La technologie | LC (Pi) |
Nombre de canaux | 1 |
Fréquence centrale / limite | 150MHz (Cutoff) |
Valeur d'atténuation | 20dB @ 250MHz ~ 2GHz |
Résistance - Canal (Ohms) | - |
Actuel | 100mA |
Valeurs | - |
Protection ESD | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Applications | Data Lines for Mobile Devices |
Tension - nominale | 10V |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric), 3 PC Pad |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
la taille | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MEM2012V151R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MEM2012V151R-FT |
4120R-601-250/500L
Bourns Inc.
4120R-601-470/101L
Bourns Inc.
VEMI45AA-HNH-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI255A-HS3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI85AA-HGK-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI85AB-HGK-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI65A6-FC2-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI65AB-HCI-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VEMI65AA-HCI-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPD3F303DQDR
Texas Instruments
XC3S1200E-4FTG256C
Xilinx Inc.
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C5N
Intel
10CL080YU484C8G
Intel
A42MX16-1PL84
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CSG281I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F35C5N
Intel
EPF8820AQC160-4
Intel