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Référence fabricant | MDMA35P1200TG |
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Numéro de pièce future | FT-MDMA35P1200TG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDMA35P1200TG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.16V @ 35A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 40µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-240AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-240AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDMA35P1200TG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDMA35P1200TG-FT |
MBRB25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3035CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel