maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MDD312-18N1
Référence fabricant | MDD312-18N1 |
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Numéro de pièce future | FT-MDD312-18N1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDD312-18N1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 310A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.32V @ 600A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30mA @ 1800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Y1-CU |
Package d'appareils du fournisseur | Y1-CU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDD312-18N1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDD312-18N1-FT |
CMPD6001A BK
Central Semiconductor Corp
CMPD6001C BK
Central Semiconductor Corp
CMPD6001S BK
Central Semiconductor Corp
CMPD6263A BK
Central Semiconductor Corp
CMPD6263C BK
Central Semiconductor Corp
CMPD6263S BK
Central Semiconductor Corp
CMPSH-3CG BK
Central Semiconductor Corp
CMPSH-3S BK
Central Semiconductor Corp
CMSSH-3A BK
Central Semiconductor Corp
CMSSH-3C BK
Central Semiconductor Corp
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel