maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MD18160S-BM2MM
Référence fabricant | MD18160S-BM2MM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MD18160S-BM2MM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MD18160S-BM2MM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 160A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 1800V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | S-3 Module |
Package d'appareils du fournisseur | S3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MD18160S-BM2MM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MD18160S-BM2MM-FT |
FST16045D
Microsemi Corporation
FST16050
Microsemi Corporation
UFT14020A
Microsemi Corporation
UFT14020D
Microsemi Corporation
UFT14140A
Microsemi Corporation
UFT14140D
Microsemi Corporation
UFT14260
Microsemi Corporation
UFT14260A
Microsemi Corporation
UFT14260D
Microsemi Corporation
UFT14280
Microsemi Corporation
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel