maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / MCR100-7 A1G
Référence fabricant | MCR100-7 A1G |
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Numéro de pièce future | FT-MCR100-7 A1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCR100-7 A1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - état d'arrêt | 500V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 800mV |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 200µA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 1.7V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | - |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 5mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 10µA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
Type de RCS | Sensitive Gate |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-7 A1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCR100-7 A1G-FT |
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100E-6FTG256C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K10FC256-1
Intel
EP3SL340F1760I4LN
Intel
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC652-2
Intel