maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / MCR100-4 A1G
Référence fabricant | MCR100-4 A1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MCR100-4 A1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCR100-4 A1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - état d'arrêt | 200V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 800mV |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 200µA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 1.7V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | - |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 5mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 10µA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
Type de RCS | Sensitive Gate |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-4 A1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCR100-4 A1G-FT |
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600L-1FG484M
Microsemi Corporation
XC5202-6PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FF1158I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EP2AGZ350FF35C4N
Intel