maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / MCR100-4 A1G
Référence fabricant | MCR100-4 A1G |
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Numéro de pièce future | FT-MCR100-4 A1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCR100-4 A1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - état d'arrêt | 200V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 800mV |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 200µA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 1.7V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | - |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 5mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 10µA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
Type de RCS | Sensitive Gate |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-4 A1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCR100-4 A1G-FT |
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100T-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XC2VP40-7FGG676C
Xilinx Inc.
XC7S50-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
M2GL050S-1VF400I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-3
Intel
5SGXMA7K2F40I2LN
Intel
EP3C25E144A7N
Intel
EP4SGX290KF43C4N
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.