maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / MCR100-3 A1G
Référence fabricant | MCR100-3 A1G |
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Numéro de pièce future | FT-MCR100-3 A1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCR100-3 A1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - état d'arrêt | 100V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 800mV |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 200µA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 1.7V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | - |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 5mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 10µA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
Type de RCS | Sensitive Gate |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-3 A1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCR100-3 A1G-FT |
16TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-2VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C8N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
5SGXMBBR2H43C3N
Intel
XC7K325T-2FFG676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation