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Référence fabricant | MCP4351T-103E/ML |
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Numéro de pièce future | FT-MCP4351T-103E/ML |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCP4351T-103E/ML Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Cône | Linear |
Configuration | Potentiometer |
Nombre de circuits | 4 |
Nombre de robinets | 257 |
Résistance (Ohms) | 10k |
Interface | SPI |
Type de mémoire | Volatile |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Caractéristiques | - |
Tolérance | ±20% |
Coefficient de température (Typ) | 150 ppm/°C |
Résistance - Essuie-glace (Ohms) (Typ) | 75 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | 20-VFQFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 20-QFN-EP (4x4) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCP4351T-103E/ML Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCP4351T-103E/ML-FT |
MCP4161T-502E/MS
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MCP4162T-502E/MS
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A10V20B-VQ80C
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3FGG676C
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XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F27C4N
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XC4013XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQG100I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
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EPF6016AQC208-2N
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