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Référence fabricant | MCCD2007-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MCCD2007-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCCD2007-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 10V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN2030-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCCD2007-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCCD2007-TP-FT |
MCH6660-TL-W
ON Semiconductor
MCH6601-TL-E
ON Semiconductor
MCH6602-TL-E
ON Semiconductor
MCH6603-TL-H
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ON Semiconductor
MCH6613-TL-E
ON Semiconductor
MCH6660-TL-H
ON Semiconductor
MCH6662-TL-H
ON Semiconductor
MCH6663-TL-H
ON Semiconductor
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel