maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / MCCD2005-TP
Référence fabricant | MCCD2005-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MCCD2005-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCCD2005-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.9nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN2030-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCCD2005-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCCD2005-TP-FT |
EFC6605R-TR
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