maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / MC1413BDR2G
Référence fabricant | MC1413BDR2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MC1413BDR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MC1413BDR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 7 NPN Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC1413BDR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MC1413BDR2G-FT |
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMT17T110
Rohm Semiconductor
IMT17T208
Rohm Semiconductor
IMT1AT108
Rohm Semiconductor
IMT3AT108
Rohm Semiconductor
IMX17T108
Rohm Semiconductor
IMX17T110
Rohm Semiconductor
IMX1T108
Rohm Semiconductor
XC4003E-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP20K400EFI672-XES
Intel
EP2AGZ300FH29I4N
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
XC5VLX50-2FFG324C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
10AX115S3F45I2LG
Intel
EP20K1000EBC652-2
Intel