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Référence fabricant | MC10LVEP11DR2G |
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Numéro de pièce future | FT-MC10LVEP11DR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MC10LVEP11DR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Fanout Buffer (Distribution) |
Nombre de circuits | 1 |
Ratio - Entrée: Sortie | 1:2 |
Différentiel - Entrée: Sortie | Yes/Yes |
Contribution | CML, LVDS, PECL |
Sortie | ECL, PECL |
Fréquence - Max | 3GHz |
Tension - Alimentation | 2.375V ~ 3.8V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC10LVEP11DR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MC10LVEP11DR2G-FT |
ZL40203LDG1
Microsemi Corporation
ZL40200LDF1
Microsemi Corporation
ZL40201LDF1
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ZL40202LDF1
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ZL40203LDF1
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ZL40212LDF1
Microsemi Corporation
ZL40212LDG1
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ZL40213LDF1
Microsemi Corporation
ZL40214LDF1
Microsemi Corporation
ZL40214LDG1
Microsemi Corporation
XC3S1400A-5FT256C
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XCV100E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG676C
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XC7A75T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FPQ208
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EP1K30FC256-1N
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5SGTMC5K3F40I3N
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LFEC10E-4QN208I
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LFE3-70E-7FN1156C
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LFE2M50E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation