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Référence fabricant | MC10EP51DR2G |
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Numéro de pièce future | FT-MC10EP51DR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 10EP |
MC10EP51DR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Une fonction | Reset |
Type | D-Type |
Le type de sortie | Differential |
Nombre d'éléments | 1 |
Nombre de bits par élément | 1 |
Fréquence d'horloge | 3GHz |
Retard de propagation max. À V, max. CL | - |
Type de déclencheur | Positive, Negative |
Courant - Sortie haut, bas | - |
Tension - Alimentation | -3V ~ -5.5V |
Courant - Au repos (Iq) | 45mA |
Capacité d'entrée | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC10EP51DR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MC10EP51DR2G-FT |
SN74S74NG4
Texas Instruments
SN74107N
Texas Instruments
74V1G79STR
STMicroelectronics
74V1G80STR
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74V1T79STR
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74V1T80STR
STMicroelectronics
CLVTH32374IGKEREP
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SN74ALVTH32374KR
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SN74ALVCH32374KR
Texas Instruments
74ALVCH32374BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3030A-7PQ100C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
5SGSMD4E3H29I3L
Intel
EP4SE820H40I3
Intel
LFE2-35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation