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Référence fabricant | MC100EP52DR2G |
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Numéro de pièce future | FT-MC100EP52DR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 100EP |
MC100EP52DR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Une fonction | Standard |
Type | D-Type |
Le type de sortie | Differential |
Nombre d'éléments | 1 |
Nombre de bits par élément | 1 |
Fréquence d'horloge | 3GHz |
Retard de propagation max. À V, max. CL | - |
Type de déclencheur | Positive, Negative |
Courant - Sortie haut, bas | - |
Tension - Alimentation | -3V ~ -5.5V |
Courant - Au repos (Iq) | 45mA |
Capacité d'entrée | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC100EP52DR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MC100EP52DR2G-FT |
74V1T80STR
STMicroelectronics
CLVTH32374IGKEREP
Texas Instruments
SN74ALVTH32374KR
Texas Instruments
SN74ALVCH32374KR
Texas Instruments
74ALVCH32374BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
74ALVCH32374BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
SN74AUC32374GKER
Texas Instruments
SN74AUCH32374GKER
Texas Instruments
SN74LVC32374AGKER
Texas Instruments
SN74LVCH32374AGKER
Texas Instruments
XC4010E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-2VQ100I
Microsemi Corporation
A3P250-2FGG144I
Microsemi Corporation
AGL125V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation