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Référence fabricant | MC100EL51DR2G |
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Numéro de pièce future | FT-MC100EL51DR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 100EL |
MC100EL51DR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Une fonction | Reset |
Type | D-Type |
Le type de sortie | Differential |
Nombre d'éléments | 1 |
Nombre de bits par élément | 1 |
Fréquence d'horloge | 2.8GHz |
Retard de propagation max. À V, max. CL | - |
Type de déclencheur | Positive, Negative |
Courant - Sortie haut, bas | - |
Tension - Alimentation | -4.2V ~ -5.7V |
Courant - Au repos (Iq) | 29mA |
Capacité d'entrée | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC100EL51DR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MC100EL51DR2G-FT |
SN74LVTH322374KR
Texas Instruments
SN74LVTH32374GKER
Texas Instruments
74V1G79CTR
STMicroelectronics
74V1G80CTR
STMicroelectronics
PI74STX1G79CX
Diodes Incorporated
NL17SZ74USG
ON Semiconductor
NLV17SZ74USG
ON Semiconductor
MC10EP51DTG
ON Semiconductor
MC100EP51DTG
ON Semiconductor
MC100EP31DTG
ON Semiconductor
XC6SLX45-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7K70T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S30F484C5N
Intel
EPF10K130EFC484-2
Intel
5SGXMA5N2F40C2N
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
Microsemi Corporation
LFE2-35E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation