maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / MBT35200MT1G
Référence fabricant | MBT35200MT1G |
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Numéro de pièce future | FT-MBT35200MT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBT35200MT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 35V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 1.5V |
Puissance - Max | 625mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBT35200MT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBT35200MT1G-FT |
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