maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRTA80030R
Référence fabricant | MBRTA80030R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRTA80030R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRTA80030R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 400A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 720mV @ 400A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRTA80030R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRTA80030R-FT |
MBRT30035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRT30040L
GeneSiC Semiconductor
MBRT30040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRT30045L
GeneSiC Semiconductor
MBRT30045RL
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020L
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020RL
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030L
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035L
GeneSiC Semiconductor
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation