maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRTA600150R
Référence fabricant | MBRTA600150R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRTA600150R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRTA600150R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 300A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 300A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4mA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRTA600150R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRTA600150R-FT |
MURTA20060
GeneSiC Semiconductor
MURTA20060R
GeneSiC Semiconductor
MURTA300120
GeneSiC Semiconductor
MURTA300120R
GeneSiC Semiconductor
MURTA30020
GeneSiC Semiconductor
MURTA30020R
GeneSiC Semiconductor
MURTA30040
GeneSiC Semiconductor
MURTA30040R
GeneSiC Semiconductor
MURTA30060
GeneSiC Semiconductor
MURTA30060R
GeneSiC Semiconductor
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel