maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRT120200R
Référence fabricant | MBRT120200R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRT120200R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRT120200R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT120200R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRT120200R-FT |
GDP48Y060B
Global Power Technologies Group
FST16035
GeneSiC Semiconductor
FST100100
GeneSiC Semiconductor
FST100150
GeneSiC Semiconductor
FST10020
GeneSiC Semiconductor
FST100200
GeneSiC Semiconductor
FST10030
GeneSiC Semiconductor
FST10035
GeneSiC Semiconductor
FST10040
GeneSiC Semiconductor
FST10045
GeneSiC Semiconductor
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel