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Référence fabricant | MBRS410ET3 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRS410ET3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRS410ET3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 10V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 10V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | SMC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS410ET3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRS410ET3-FT |
1N5822RLG
ON Semiconductor
80SQ045NRLG
ON Semiconductor
1N5400RL
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1N5401RL
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AX250-1FGG484I
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M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
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EP2AGX45CU17C5
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EPF8636AQC208-2
Intel