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Référence fabricant | MBRS20H150CT MNG |
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Numéro de pièce future | FT-MBRS20H150CT MNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRS20H150CT MNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 970mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS20H150CT MNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRS20H150CT MNG-FT |
HER1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
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EP1S30F780C8N
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