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Référence fabricant | MBRS20100CT-Y MNG |
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Numéro de pièce future | FT-MBRS20100CT-Y MNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRS20100CT-Y MNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS20100CT-Y MNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRS20100CT-Y MNG-FT |
MBR3060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30L45CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30L60CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR1620CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR1620CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
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EP1S30F780C5N
Intel