maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MBRS120T3G
Référence fabricant | MBRS120T3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRS120T3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRS120T3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS120T3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRS120T3G-FT |
NRVTSA3100ET3G
ON Semiconductor
NRVBA1H100T3G
ON Semiconductor
NRVBA340T3G
ON Semiconductor
MRA4005T1G
ON Semiconductor
MURA210T3G
ON Semiconductor
SURA8120T3G
ON Semiconductor
MBRA120ET3G
ON Semiconductor
MBRA210ET3G
ON Semiconductor
MURA140T3G
ON Semiconductor
MURA230T3G
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel