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Référence fabricant | MBRS10H150CT MNG |
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Numéro de pièce future | FT-MBRS10H150CT MNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRS10H150CT MNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 970mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS10H150CT MNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRS10H150CT MNG-FT |
MBRS15100CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS15100CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS15150CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS15150CT-Y MNG
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MBRS15150CTHMNG
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MBRS15200CT-Y MNG
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MBRS1535CT MNG
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MBRS1535CTHMNG
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MBRS1545CT MNG
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MBRS1545CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
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EPF10K30EFC484-2
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5SEE9H40I4N
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XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
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EP20K200BC356-2
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