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Référence fabricant | MBRM120ET1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRM120ET1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRM120ET1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 530mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-216AA |
Package d'appareils du fournisseur | Powermite |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRM120ET1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRM120ET1-FT |
MBRM110ET1G
ON Semiconductor
MBRM110LT3G
ON Semiconductor
MBRM2H100T3G
ON Semiconductor
NRVBM130LT1G
ON Semiconductor
NRVBM140T3G
ON Semiconductor
NRVHPM220T3G
ON Semiconductor
CD216A-B120LLF
Bourns Inc.
UPS120E3/TR7
Microsemi Corporation
UPS140E3/TR7
Microsemi Corporation
UPS5817E3/TR7
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel